TN3826 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TN3826  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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TN3826 datasheet

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TN3826

Spec. No. C576F3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820F3 ID 26A 64m VGS=10V, ID=18A Features RDSON(TYP) Low Gate Charge 65m VGS=4V, ID=10A Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli

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TN3826

Spec. No. C576J3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820J3 ID 24A 64m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 65m VGS=4V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline

Otros transistores... TN3708, TN3709, TN3710, TN3711, TN3721, TN3724, TN3725, TN3742, 2SC2383, TN3827, TN3866, TN3900, TN3900A, TN3901, TN3903, TN3903R, TN3904