TN3826 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN3826  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN3826

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN3826 даташит

 9.1. Size:335K  cystek
 mtn3820f3.pdf pdf_icon

TN3826

Spec. No. C576F3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820F3 ID 26A 64m VGS=10V, ID=18A Features RDSON(TYP) Low Gate Charge 65m VGS=4V, ID=10A Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli

 9.2. Size:277K  cystek
 mtn3820j3.pdf pdf_icon

TN3826

Spec. No. C576J3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820J3 ID 24A 64m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 65m VGS=4V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline

Другие транзисторы: TN3708, TN3709, TN3710, TN3711, TN3721, TN3724, TN3725, TN3742, 2SC2383, TN3827, TN3866, TN3900, TN3900A, TN3901, TN3903, TN3903R, TN3904