TN4401 Todos los transistores

 

TN4401 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TN4401
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

TN4401 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:308K  cystek
 mtn4402q8.pdf pdf_icon

TN4401

Spec. No. : C910Q8 Issued Date : 2013.05.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20VMTN4402Q8 ID 20A4.3m VGS=4.5V, ID=20A RDSON(TYP) 5.3m VGS=2.5V, ID=20A Description The MTN4402Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switc

 9.2. Size:356K  stansontech
 stn4402.pdf pdf_icon

TN4401

STN4402STN4402STN4402STN4402N Channel Enhancement Mode MOSFET12ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTN4402 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistorwhich is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high densityprocess is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices areparticularly suited f

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History: BDX83C | BSS56 | 2SB1204

 

 
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