TN930R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TN930R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
TN930R Datasheet (PDF)
stn93003.pdf

STN93003High voltage fast-switchingPNP power transistorFeatures High voltage capability Very high switching speed 43Application21 Electronics ballasts for fluorescent lightingSOT-223 DescriptionThe device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high Iswitching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emit
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History: BD802 | TP9012NND03 | BCP56-10T1G | BCF29 | BD825-6 | BD695A | BCP69-16
History: BD802 | TP9012NND03 | BCP56-10T1G | BCF29 | BD825-6 | BD695A | BCP69-16



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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