TP3013 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP3013
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 18 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 350 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO92
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TP3013 datasheet
atp301.pdf
ATP301 Ordering number ENA1457A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP301 Applications Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-
atp301.pdf
Ordering number ENA1457A ATP301 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --100 V Gate-t
jmtp3010d.pdf
JMTP3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 12A Load Switch RDS(ON)
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History: TP3250A
History: TP3250A
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