TP3013 - описание и поиск аналогов

 

TP3013. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TP3013

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для TP3013

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP3013 даташит

 9.1. Size:460K  sanyo
 atp301.pdf pdf_icon

TP3013

ATP301 Ordering number ENA1457A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP301 Applications Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

 9.2. Size:360K  onsemi
 atp301.pdf pdf_icon

TP3013

Ordering number ENA1457A ATP301 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --100 V Gate-t

 9.3. Size:400K  jiejie micro
 jmtp3010d.pdf pdf_icon

TP3013

JMTP3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 12A Load Switch RDS(ON)

Другие транзисторы: TP2907, TP2907A, TP2907AR, TP2907R, TP2923, TP2924, TP2925, TP2926, A733, TP3053, TP3053A, TP3250, TP3250A, TP3251, TP3251A, TP3390, TP3391

 

 

 

 

↑ Back to Top
.