Справочник транзисторов. TP3013

 

Биполярный транзистор TP3013 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TP3013
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для TP3013

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP3013 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:460K  sanyo
 atp301.pdf pdf_icon

TP3013

ATP301Ordering number : ENA1457ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP301ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.2. Size:360K  onsemi
 atp301.pdf pdf_icon

TP3013

Ordering number : ENA1457AATP301P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --100 VGate-t

 9.3. Size:400K  jiejie micro
 jmtp3010d.pdf pdf_icon

TP3013

JMTP3010DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 12A Load SwitchRDS(ON)

Другие транзисторы... TP2907 , TP2907A , TP2907AR , TP2907R , TP2923 , TP2924 , TP2925 , TP2926 , TIP31C , TP3053 , TP3053A , TP3250 , TP3250A , TP3251 , TP3251A , TP3390 , TP3391 .

 

 
Back to Top

 


 
.