TP3414 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP3414 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 75
Encapsulados: TO92
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de TP3414
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
TP3414 datasheet
mtp3413n3.pdf
Spec. No. C394N3 Issued Date 2012.01.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.04 Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP3413N3 ID -4.9A VGS=-4.5V, ID=-4.3A 39m VGS=-2.5V, ID=-2.5A RDSON(TYP) 50m VGS=-1.8V, ID=-2A 65m Features 1.8V gate rated Advanced trench process technology High density cell desig
mtp3415kn3.pdf
Spec. No. C589N3 Issued Date 2010.11.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.11 Page No. 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V ID -4.4A VGS=-4.5V, ID=-4A MTP3415KN3 33m VGS=-2.5V, ID=-4A 42m RDSON(TYP) VGS=-1.8V, ID=-2A 52m Features ESD protected 3KV Advanced trench process technology High density cell design for ultra lo
Otros transistores... TP3395, TP3396, TP3397, TP3398, TP3402, TP3403, TP3404, TP3405, 9014, TP3415, TP3416, TP3417, TP3563, TP3564, TP3565, TP3566, TP3567
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115


