2N5322GN . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5322GN
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 75 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5322GN
2N5322GN Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N5321O , 2N5321R , 2N5321V , 2N5321W , 2N5321Y , 2N5322 , 2N5322BL , 2N5322BR , 2SB817 , 2N5322O , 2N5322R , 2N5322V , 2N5322W , 2N5322Y , 2N5323 , 2N5323BL , 2N5323BR .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050