UMA4N Todos los transistores

 

UMA4N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMA4N
   Código: A4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC88A SOT353

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UMA4N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  rohm
 ema4 uma4n fma4a uma4n.pdf

UMA4N UMA4N

EMA4 / UMA4N / FMA4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMA4 / UMA4N / FMA4A External dimensions (Unit : mm) Feature 1) Two DTA114T chips in a EMT or UMT or SMT package. EMA4( ) (3) 4( )2 Equivalent circuits (5) ( )11.21.6EMA4 / UMA4N FMA4A(3) (2) (1) (3) (4) (5)R1 R1 R1 R1ROHM : EMT5 Each lead has same dimensions(4) (5) (2)(1)

 ..2. Size:48K  rohm
 uma4n fma4a a4 sot353 sot23-5.pdf

UMA4N

UMA4N / UMB4N / UMB8N / FMA4A / IMB4A / IMB8TransistorsTransistorsUMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N / FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8(96-448-A114T)

 0.1. Size:60K  onsemi
 uma4nt1-d.pdf

UMA4N UMA4N

UMA4NT1, UMA6NT1Preferred DevicesDual Common Emitter BiasResistor TransistorsPNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are 3 2 1

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