UMA4N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMA4N  📄📄 

Código: A4

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SC88A SOT353

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UMA4N datasheet

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UMA4N

EMA4 / UMA4N / FMA4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMA4 / UMA4N / FMA4A External dimensions (Unit mm) Feature 1) Two DTA114T chips in a EMT or UMT or SMT package. EMA4 ( ) (3) 4 ( ) 2 Equivalent circuits (5) ( ) 1 1.2 1.6 EMA4 / UMA4N FMA4A (3) (2) (1) (3) (4) (5) R1 R1 R1 R1 ROHM EMT5 Each lead has same dimensions (4) (5) (2) (1)

 ..2. Size:48K  rohm
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UMA4N

UMA4N / UMB4N / UMB8N / FMA4A / IMB4A / IMB8 Transistors Transistors UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N / FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8 (96-448-A114T)

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UMA4N

UMA4NT1, UMA6NT1 Preferred Devices Dual Common Emitter Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are 3 2 1

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