UMB2N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UMB2N
   Código: B2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC-88

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMB2N

UMB2N Datasheet (PDF)

..1. Size:62K rohm
umb2n imb2a b2 sot363 sot23-6.pdf

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMB2N / IMB2AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA144E chips in a UMT orSMT package.2) Same size as UMT3 or SMT3 pack-age, so same mounting machinecan be used for both.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistor(Built-in res

..2. Size:68K rohm
emb2 umb2n imb2a umb2n.pdf

EMB2 / UMB2N / IMB2A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB2 / UMB2N / IMB2A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT or SMT EMB2package. (4) ( )3(5) (2)2) Same size as EMT3 or UMT3 or SMT3 package, so (6) ( )11.2same mounting machine can be used for both. 1.63) Transistor elements are independent,

0.1. Size:1295K rohm
umb2nfha.pdf

EMB2 / UMB2N / IMB2AEMB2FHA / UMB2NFHA / IMB2AFRADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R147kWEMB2 UMB2N EMB2FHA UMB2NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SM

0.2. Size:1340K rohm
emb2fha umb2nfha imb2afra.pdf