UMB5N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMB5N 📄📄
Código: B5
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 56
Encapsulados: SC-88
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UMB5N datasheet
umb5n imb5a b5 sot363 sot23-6.pdf
UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package. UMA1N 1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) 2.1 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC -50 V 0.1Min. -40 Input voltage VIN V ROHM
Otros transistores... UMA9N, UMB10N, UMB11N, UMB16N, UMB1N, UMB2N, UMB3N, UMB4N, BD335, UMB6N, MMUN2235LT1G, UMB8N, UMB9N, UMC1N, UMC2N, UMC3N, UMC4N
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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