UMB5N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMB5N
Código: B5
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 56
Paquete / Cubierta: SC-88
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMB5N
UMB5N Datasheet (PDF)
umb5n imb5a b5 sot363 sot23-6.pdf
UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5ATransistorsGeneral purpose (dual digital transistors)UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A External dimensions (Units : mm) Features1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package.UMA1N1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)2.1Parameter Symbol Limits UnitSupply voltage VCC -50 V0.1Min.-40Input voltage VIN V ROHM
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS