UMG1N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMG1N 📄📄

Código: G1

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 56

Encapsulados: SC88A SOT353

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UMG1N datasheet

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umg1n fmg1a g1 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package. UMG1N 1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) 2.1 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V 0.1Min. 40 ROHM UMT5 Input voltage

..2. Size:59K rohm
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..3. Size:65K rohm
emg1 umg1n fmg1a.pdf pdf_icon

EMG1 / UMG1N / FMG1A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMG1 / UMG1N / FMG1A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC124E chips in a EMT or UMT or SMT EMG1 package. ( ) ( ) 4 3 2 ( ) (5) ( ) 1 1.2 Circuit schematic 1.6 EMG1 / UMG1N FMG1A (3) (2) (1) (3) (4) (5) ROHM EMT5 Each lead has same dimensions R1 R1 R1 R1 R2 R2 R2 R2 (4

Otros transistores... UMD2N, UMD3N, UMD6N, PDTA123EEF, UMD9N, UMG11N, PDTA123EK, PDTA123ES, D880, UMG2N, UMG3N, UMG4N, UMG5N, UMG6N, UMG8N, UMG9N, UMH10N

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