UMH5N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UMH5N
   Código: H5
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 56
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT353

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMH5N

UMH5N Datasheet (PDF)

..1. Size:61K rohm
umh5n imh5a h5 sot363 sot23-6.pdf

UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5ATransistorsGeneral purpose (dual digital transistors)UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A External dimensions (Units : mm) Features1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package.UMG1N1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)2.1Parameter Symbol Limits UnitSupply voltage VCC 50 V0.1Min.40ROHM : UMT5Input voltage

..2. Size:81K rohm
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UMH5N / IMH5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH5N / IMH5A Dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTC124E chips in a EMT or UMT or SMT package. UMH5N Circuit schematic (6) (5) (4)UMH5N IMH5A(3) (2) (1) (4) (5) (6)R1 R1R2 R2 R2 R2(1) (2) (3)R1 R1(4) (5) (6) (3) (2) (1)ROHM : UMT6 Each lead has same dimensionsR1=R2=22k R1=R2=22k

0.1. Size:1239K rohm
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UMH5NFHA / IMH5AFRAUMH5N / IMH5ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineUMT6 SMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (4) (5) (5) VCC50V (4) (6) (1) (3) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (1) R122kWUMH9N IMH9A UMH5NFHA IMH5AFRAR222kW SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInne

0.2. Size:1279K rohm
umh5nfha imh5afra.pdf