UMH8N Todos los transistores

 

UMH8N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMH8N
   Código: H8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT353
 

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UMH8N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  rohm
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UMH8N

UMH8N / IMH8ATransistors General purpose (dual digital transistors) UMH8N / IMH8A External dimensions (Unit : mm) Features1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMTpackage. UMH8N1.25 Equivalent circuits2.1UMH8NIMH8A(3) (2) (1)(4) (5) (6)0.1Min.R1R1ROHM : UMT6 Each lead has same dimensionsEIAJ : SC-88R1R1(4) (5) (6)(3) (2) (1)R1=10k R1=10k

 ..2. Size:48K  rohm
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UMH8N

(96-448-A114T)

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UMH8N

UMH8NFHA / IMH8AFRAUMH8N / IMH8ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineUMT6 SMT6Parameter Tr1 and Tr2(4)(6) (5) (5) (6) (4)VCEO50V(3)(1)IC100mA (2) (2) (1) (3)R110kWUMH8NFHA IMH8AFRAUMH8N IMH8ASOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74)lFeatures lInner circuit1) Built-In Bia

 0.2. Size:1148K  rohm
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UMH8N

UMH8NFHA / IMH8AFRAUMH8N / IMH8ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineUMT6 SMT6Parameter Tr1 and Tr2(4)(6) (5) (5) (6) (4)VCEO50V(3)(1)IC100mA (2) (2) (1) (3)R110kWUMH8NFHA IMH8AFRAUMH8N IMH8ASOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74)lFeatures lInner circuit1) Built-In Bia

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History: BCM857QAS | MPS8099G | 2SD481 | HPA251R | 2SD637 | 2SB678 | 2SA1510

 

 
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