UN1115R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN1115R
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 210
Paquete / Cubierta: M-A1
- Selección de transistores por parámetros
UN1115R Datasheet (PDF)
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Transistors with built-in ResistorUNR1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L(UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/Unit: mm111D/111E/111F/111H/111L)2.50.16.90.1(1.0)(1.5)Silicon PNP epitaxial planar transistor(1.5)R 0.9For digital circuitsR 0.7FeaturesCosts can be reduced through downsizing of the equipment and
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BU126 | DRC3A43X | ZTX454 | KRC407V | BF393 | DTA024EEB
History: BU126 | DRC3A43X | ZTX454 | KRC407V | BF393 | DTA024EEB



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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