UN1116Q Todos los transistores

 

UN1116Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UN1116Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: M-A1
 

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UN1116Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  panasonic
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UN1116Q

Transistors with built-in ResistorUNR1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L(UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/Unit: mm111D/111E/111F/111H/111L)2.50.16.90.1(1.0)(1.5)Silicon PNP epitaxial planar transistor(1.5)R 0.9For digital circuitsR 0.7FeaturesCosts can be reduced through downsizing of the equipment and

Otros transistores... UN1110S , UN1111 , UN1112 , UN1113 , UN1114 , UN1115Q , UN1115R , UN1115S , A733 , UN1116R , UN1116S , UN1117Q , UN1117R , UN1117S , UN1118 , UN1119 , UN111D .

History: AFY40R | KTX214E | BSV49B | UN111D | DTA124EET1G | HLB125HE | 3DG12

 

 
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