UN1123 Todos los transistores

 

UN1123 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UN1123

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: M-A1

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UN1123 datasheet

 ..1. Size:142K  panasonic
 un1121 un1122 un1123 un1124 un112x un112y.pdf pdf_icon

UN1123

Transistors with built-in Resistor UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y (UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y) Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm 2.5 0.1 For digital circuits 6.9 0.1 (1.0) (1.5) (1.5) Features R 0.9 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and R 0.7 reduction of the number of parts. M type package allowing easy automatic and manual ins

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