UN1123 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UN1123  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: M-A1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UN1123

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN1123 даташит

 ..1. Size:142K  panasonic
 un1121 un1122 un1123 un1124 un112x un112y.pdf pdf_icon

UN1123

Transistors with built-in Resistor UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y (UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y) Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm 2.5 0.1 For digital circuits 6.9 0.1 (1.0) (1.5) (1.5) Features R 0.9 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and R 0.7 reduction of the number of parts. M type package allowing easy automatic and manual ins

Другие транзисторы: UN1119, UN111D, UN111E, UN111F, UN111H, UN111L, UN1121, UN1122, BD135, UN1124, UN112X, UN112Y, UN1210Q, UN1210R, UN1210S, UN1211, UN1212