UN1214 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UN1214  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: M-A1

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UN1214 datasheet

 ..1. Size:263K  panasonic
 un1210q un1210r un1210s un1211 un1212 un1213 un1214 un1215q un1215r un1215s un1216q un1216r un1216s un1217q un1217r un1217s unr1210.pdf pdf_icon

UN1214

Transistors with built-in Resistor UNR1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/ 121D/121E/121F/121K/121L (UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/ Unit mm 121D/121E/121F/121K/121L) 2.5 0.1 6.9 0.1 (1.0) (1.5) (1.5) Silicon NPN epitaxial planar transistor R 0.9 For digital circuits R 0.7 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment

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