2N534 Todos los transistores

 

2N534 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N534
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.055 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 65 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.6 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO23
 

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2N534 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:208K  inchange semiconductor
 2n5345.pdf pdf_icon

2N534

isc Silicon PNP Power Transistor 2N5345DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -280V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedHigh Current-Gain Bandwidth Product-: f = 60MHz(Min)@ I = -0.1AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage switching and amplifierapplications.AB

 0.2. Size:51K  inchange semiconductor
 2n5344.pdf pdf_icon

2N534

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2N5344 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -250V(Min) High Switching Speed High Current-Gain Bandwidth Product- : fT= 60MHz(Min)@ IC= -0.1A APPLICATIONS Designed for high voltage switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

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History: TIP641 | 2SC6114 | KTC801F | KTC9012SC | NSBC114EPDXV6T1G | FTB1184 | SAP16N

 

 
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