2N534. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N534
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.055 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 65 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO23
Аналоги (замена) для 2N534
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N534 даташит
2n5345.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2N5345 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -280V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed High Current-Gain Bandwidth Product- f = 60MHz(Min)@ I = -0.1A T C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage switching and amplifier applications. AB
2n5344.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2N5344 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -250V(Min) High Switching Speed High Current-Gain Bandwidth Product- fT= 60MHz(Min)@ IC= -0.1A APPLICATIONS Designed for high voltage switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 )
Другие транзисторы: 2N5336X, 2N5337, 2N5337A-220M, 2N5337X, 2N5338, 2N5338X, 2N5339, 2N5339X, BDT88, 2N5344, 2N5344A, 2N5345, 2N5345A, 2N5346, 2N5348, 2N5349, 2N535
History: 2N5323W
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640
