2N5349 Todos los transistores

 

2N5349 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5349
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO59
 

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2N5349 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 2n5345.pdf pdf_icon

2N5349

isc Silicon PNP Power Transistor 2N5345DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -280V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedHigh Current-Gain Bandwidth Product-: f = 60MHz(Min)@ I = -0.1AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage switching and amplifierapplications.AB

 9.2. Size:51K  inchange semiconductor
 2n5344.pdf pdf_icon

2N5349

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2N5344 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -250V(Min) High Switching Speed High Current-Gain Bandwidth Product- : fT= 60MHz(Min)@ IC= -0.1A APPLICATIONS Designed for high voltage switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

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History: NB023FI | NB022EU | NB024HK | NB022FI | SUT390EF | 2SC3851A | TP4249

 

 
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