UN4216R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN4216R
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 210
Paquete / Cubierta: TO92S
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UN4216R
UN4216R Datasheet (PDF)
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Transistors with built-in ResistorUNR4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L(UN4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L)Unit: mm4.00.2Silicon NPN epitaxial planer transistorFor digital circuitsFeatures Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.mark
un4213.pdf
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History: 2SD366 | KSD5075T | 2SD2386A
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Liste
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