UN6116R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN6116R
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 210
Encapsulados: MT-1
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UN6116R datasheet
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Transistors with built-in Resistor UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/6118/ 6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm For digital circuits 6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 0.65 max. MT-1 type package, allowing supply
Otros transistores... UN6111 , UN6112 , UN6113 , UN6114 , UN6115Q , UN6115R , UN6115S , UN6116Q , 2SC4793 , UN6116S , UN6117Q , UN6117R , UN6117S , UN6118 , UN6119 , UN611D , UN611E .
History: CHDTA143ZEGP | 2N3621
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Liste
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