UN6116R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN6116R
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 210
Paquete / Cubierta: MT-1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UN6116R
UN6116R Datasheet (PDF)
un6110q un6110r un6110s un6111 un6112 un6113 un6114 un6115q un6115r un6115s un6116q un6116r un6116s un6117q un6117r un6117s.pdf
Transistors with built-in ResistorUN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611LSilicon PNP epitaxial planer transistorUnit: mmFor digital circuits6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.00.8FeaturesCosts can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.0.65 max.MT-1 type package, allowing supply
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MD2369 | 2N978 | 2N956
History: MD2369 | 2N978 | 2N956
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050