UN611H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN611H
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: MT-1
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UN611H Datasheet (PDF)
un6110q un6110r un6110s un6111 un6112 un6113 un6114 un6115q un6115r un6115s un6116q un6116r un6116s un6117q un6117r un6117s.pdf

Transistors with built-in ResistorUN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611LSilicon PNP epitaxial planer transistorUnit: mmFor digital circuits6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.00.8FeaturesCosts can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.0.65 max.MT-1 type package, allowing supply
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History: 2SC136
History: 2SC136



Liste
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