UN611L . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN611L
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: MT-1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UN611L
UN611L Datasheet (PDF)
un6110q un6110r un6110s un6111 un6112 un6113 un6114 un6115q un6115r un6115s un6116q un6116r un6116s un6117q un6117r un6117s.pdf
Transistors with built-in Resistor UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/6118/ 6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm For digital circuits 6.9 0.1 1.05 2.5 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 0.65 max. MT-1 type package, allowing supply
Otros transistores... UN6117R , UN6117S , UN6118 , UN6119 , UN611D , UN611E , UN611F , UN611H , BC558 , UN6121 , UN6122 , UN6123 , UN6124 , UN612X , UN612Y , UN6210Q , UN6210R .
History: A159B | DBC846BPDW1T1G | EQF0009 | KF503 | AC341 | 2SB929A | 2SD1015
History: A159B | DBC846BPDW1T1G | EQF0009 | KF503 | AC341 | 2SB929A | 2SD1015
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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