UN911H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN911H
Código: 6P
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: SS-MINI
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UN911H
UN911H Datasheet (PDF)
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Transistors with built-in ResistorUN9111/9112/9113/9114/9115/9116/9117/9118/9119/9110/911D/911E/911F/911H/911L/UNR911AJ/911BJ/911CJSilicon PNP epitaxial planer transistorUnit: mmFor digital circuits1.6 0.150.4 0.8 0.1 0.4Features1Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.3SS-Mini type package, allowing automatic in
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History: UN9213
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