2N5369 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5369
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
- Selección de transistores por parámetros
2N5369 Datasheet (PDF)
2n5366.pdf

2N5366PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifiers applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emitter-Base
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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