2N5369 Todos los transistores

 

2N5369 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5369
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5369 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:60K  fairchild semi
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2N5369

2N5366PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifiers applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emitter-Base

 9.2. Size:218K  no
2n5365.pdf pdf_icon

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 9.3. Size:43K  microelectronics
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 9.4. Size:86K  microelectronics
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History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
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