XB114 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XB114
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.09 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Temperatura operativa máxima (Tj): 55 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 47
- Selección de transistores por parámetros
XB114 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BC266B | MUN5230T1G | 2T7238B | 2SB1229S | 2SC3181N | 2SD882GP
History: BC266B | MUN5230T1G | 2T7238B | 2SB1229S | 2SC3181N | 2SD882GP
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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