ZT66 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZT66
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 38
Encapsulados: TO5
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ZT66 datasheet
nzt660-a.pdf
April 2005 NZT660/NZT660A PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. 4 3 2 1 SOT-223 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter NZT660 NZT660A Units VCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 V VCBO Collector-Bas
nzt660 nzt660a.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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History: MA393C | BSW44AK
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