ZT709 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZT709
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO5
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ZT709 datasheet
czt7090l.pdf
CZT7090L www.centralsemi.com SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) PNP DESCRIPTION SILICON POWER TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT7090L is a Low VCE(SAT) PNP Transistor in a space saving Power SOT-223 surface mount package, designed for DC-DC converters for mobile systems and LAN cards, motor control, power management and strobe flash units. MARKING FULL PART NUMBER SOT-223 CASE
czt7090le.pdf
CZT7090LE ENHANCED SPECIFICATION www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION LOW VCE(SAT) PNP The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT7090LE is an SILICON POWER TRANSISTOR Enhanced Specification Low VCE(SAT) PNP Silicon Power Transistor packaged in an industry standard SOT-223 case. High Collector Current, coupled with a Low Saturation Voltage, make this an excellent choice for industrial
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History: 2SB1118S | BSV17-10 | 2SB1194 | 2N5153SM | 2SB951
History: 2SB1118S | BSV17-10 | 2SB1194 | 2N5153SM | 2SB951
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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