2N5399 Todos los transistores

 

2N5399 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5399
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO46
 

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2N5399 Datasheet (PDF)

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2N5399

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Otros transistores... 2N5386 , 2N5387 , 2N5388 , 2N5389 , 2N538A , 2N538M , 2N539 , 2N5390 , BD135 , 2N539A , 2N54 , 2N540 , 2N5400 , 2N5401 , 2N5404 , 2N5405 , 2N5406 .

 

 
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