2N5399 Todos los transistores

 

2N5399 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5399

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 600 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO46

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2N5399 datasheet

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2N5399

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-20 B-20 01/99 2N5397, 2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low-Noise Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power Gain Drain Source Voltage 25 V High Transconductance Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Otros transistores... 2N5386 , 2N5387 , 2N5388 , 2N5389 , 2N538A , 2N538M , 2N539 , 2N5390 , BD135 , 2N539A , 2N54 , 2N540 , 2N5400 , 2N5401 , 2N5404 , 2N5405 , 2N5406 .

 

 

 


 
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