2N5426 Todos los transistores

 

2N5426 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5426
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 32 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO9
 

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2N5426 PDF detailed specifications

 9.1. Size:132K  mospec
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 9.2. Size:17K  semelab
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2N5426

2N5428A MECHANICAL DATA MEDIUM POWER Dimensions in mm NPN SILICON TRANSISTOR 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 3.86 (0.145) rad. Designed for switching and wide - band amplifier applications 1.27 (0.050) 4.83 (0.190) 1.91 (0.750) 5.33 (0.210) 9.14 (0.360) min. TO66 Package. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase=25 C unless otherwise stated) VCEO Co... See More ⇒

 9.3. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

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 9.4. Size:45K  inchange semiconductor
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2N5426

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5429 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE... See More ⇒

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