BCV63B Todos los transistores

 

BCV63B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCV63B
   Código: D96
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT143B
 

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BCV63B Datasheet (PDF)

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BCV63B

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D071BCV63; BCV63BNPN general purpose doubletransistors1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose double transistors BCV63; BCV63BFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 and 6 V).1 collector TR2 and base

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BCV63B

BCV63; BCV63BNPN general-purpose double transistorsRev. 4 4 August 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITABCV63 SOT143B - -BCV63B BCV64B1.2 Features and benefits Low cu

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History: 2SC1003A | BD830B | KT626V | 2N424-1 | 2SC3284 | 2SA1480C | DTA144VSA

 

 
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