BFM520 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFM520
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT363
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BFM520 Datasheet (PDF)
bfm520.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFM520Dual NPN wideband transistorProduct specification 1996 Oct 08Supersedes data of 1995 Sep 04NXP Semiconductors Product specificationDual NPN wideband transistor BFM520FEATURES PINNING - SOT363A Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched1 b1 base 1 Low noise and high gain2 e1 emitter 1 High gain
bfm520 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFM520Dual NPN wideband transistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 04File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationDual NPN wideband transistor BFM520FEATURES PINNING - SOT363A Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched1 b1 base 1 Low noise
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