BFM520 Todos los transistores

 

BFM520 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFM520
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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BFM520 Datasheet (PDF)

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BFM520

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFM520Dual NPN wideband transistorProduct specification 1996 Oct 08Supersedes data of 1995 Sep 04NXP Semiconductors Product specificationDual NPN wideband transistor BFM520FEATURES PINNING - SOT363A Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched1 b1 base 1 Low noise and high gain2 e1 emitter 1 High gain

 ..2. Size:68K  philips
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BFM520

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFM520Dual NPN wideband transistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 04File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationDual NPN wideband transistor BFM520FEATURES PINNING - SOT363A Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched1 b1 base 1 Low noise

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History: EMD29 | RN1106

 

 
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