BFM520 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFM520
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 9000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SOT363
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BFM520 datasheet
bfm520.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFM520 Dual NPN wideband transistor Product specification 1996 Oct 08 Supersedes data of 1995 Sep 04 NXP Semiconductors Product specification Dual NPN wideband transistor BFM520 FEATURES PINNING - SOT363A Small size PIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched 1 b1 base 1 Low noise and high gain 2 e1 emitter 1 High gain
bfm520 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFM520 Dual NPN wideband transistor 1996 Oct 08 Product specification Supersedes data of 1995 Sep 04 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification Dual NPN wideband transistor BFM520 FEATURES PINNING - SOT363A Small size PIN SYMBOL DESCRIPTION Temperature and hFE matched 1 b1 base 1 Low noise
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