BLV861 Todos los transistores

 

BLV861 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV861

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 220 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 47 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT289A

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BLV861 datasheet

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BLV861

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D099 BLV861 UHF linear push-pull power transistor 1998 Jan 16 Product specification Supersedes data of 1998 Jan 14 Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV861 FEATURES PINNING Double stage internal input and output matching PIN SYMBOL DESCRIPTION networks for an optimum wideband

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BLV861

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D091 BLV862 UHF linear push-pull power transistor 1999 Jun 25 Product specification Supersedes data of 1997 Oct 14 Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV862 FEATURES PINNING Double stage internal input and output matching PIN SYMBOL DESCRIPTION networks for an optimum wideband capability and

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History: UN212X

 

 

 

 

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