Биполярный транзистор BLV861 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV861
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 47 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT289A
BLV861 Datasheet (PDF)
blv861.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D099BLV861UHF linear push-pull powertransistor1998 Jan 16Product specificationSupersedes data of 1998 Jan 14Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV861FEATURES PINNING Double stage internal input and output matchingPIN SYMBOL DESCRIPTIONnetworks for an optimum wideband
blv862.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D091BLV862UHF linear push-pull powertransistor1999 Jun 25Product specificationSupersedes data of 1997 Oct 14Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV862FEATURES PINNING Double stage internal input and output matchingPIN SYMBOL DESCRIPTIONnetworks for an optimum wideband capability and
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050