2DD1621T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2DD1621T
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 300 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: SOT89
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2DD1621T datasheet
2dd1664p-q-r.pdf
2DD1664P/Q/R NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (2DB1132) Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) SOT89-3L Mechanical Data COLLECTOR Case
Otros transistores... 2DA2018 , 2DB1119S , 2DB1386Q , 2DB1386R , 2DB1424R , 2DB1689 , 2DB1697 , 2DB1713 , 2SD669 , 2DD2098R , 2DD2150R , 2DD2652 , 2DD2661 , 2DD2678 , BCX6825 , BCX6925 , DCP68 .
History: HA7732 | WTM649A | 2SC2011
History: HA7732 | WTM649A | 2SC2011
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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