2DD1621T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2DD1621T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2DD1621T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2DD1621T даташит

 ..1. Size:205K  diodes
 2dd1621t.pdf pdf_icon

2DD1621T

 9.1. Size:471K  diodes
 2dd1664p 2dd1664q 2dd1664r.pdf pdf_icon

2DD1621T

 9.2. Size:221K  diodes
 2dd1664p-q-r.pdf pdf_icon

2DD1621T

2DD1664P/Q/R NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (2DB1132) Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) SOT89-3L Mechanical Data COLLECTOR Case

Другие транзисторы: 2DA2018, 2DB1119S, 2DB1386Q, 2DB1386R, 2DB1424R, 2DB1689, 2DB1697, 2DB1713, 2SD669, 2DD2098R, 2DD2150R, 2DD2652, 2DD2661, 2DD2678, BCX6825, BCX6925, DCP68