ZXT11N20DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXT11N20DF  📄📄 

Código: 2N0

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 160 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SOT23

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ZXT11N20DF datasheet

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ZXT11N20DF

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ZXT11N20DF

ZXT11N15DF SuperSOT4 15V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR SUMMARY VCEO=15V; RSAT = 37m ; IC= 3A DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give SOT23 extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES

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