ZXT11N20DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXT11N20DF  📄📄 

Маркировка: 2N0

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для ZXT11N20DF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZXT11N20DF даташит

 ..1. Size:411K  diodes
 zxt11n20df.pdf pdf_icon

ZXT11N20DF

 8.1. Size:416K  diodes
 zxt11n15df.pdf pdf_icon

ZXT11N20DF

ZXT11N15DF SuperSOT4 15V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR SUMMARY VCEO=15V; RSAT = 37m ; IC= 3A DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give SOT23 extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES

Другие транзисторы: ZUMT717, ZUMT718, ZX5T2E6, ZXT10N15DE6, ZXT10N20DE6, ZXT10P12DE6, ZXT10P20DE6, ZXT11N15DF, 9014, ZXT12N20DX, ZXT12P12DX, ZXT13N15DE6, ZXT13N20DE6, ZXT13P12DE6, ZXT13P20DE6, ZXT2MA, ZXTC2061E6