ZXTP25012EZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXTP25012EZ  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2.4 W

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 310 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 500

Encapsulados: SOT89

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ZXTP25012EZ datasheet

 ..1. Size:388K  diodes
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ZXTP25012EZ

ZXTP25012EZ 20V PNP high gain transistor in SOT89 Summary BVCEO > -12V hFE > 500 IC(cont) = 4.5A VCE(sat)

 4.1. Size:327K  diodes
zxtp25012efh.pdf pdf_icon

ZXTP25012EZ

ZXTP25012EFH 12V, SOT23, PNP medium power transistor Summary BVCEO > -12V hFE > 500 IC(cont) = 4A RCE(sat) = 40m VCE(sat)

 6.1. Size:361K  diodes
zxtp25015dfh.pdf pdf_icon

ZXTP25012EZ

ZXTP25015DFH 15V, SOT23, PNP medium power transistor Summary BVCEO > -15V BVECO > -3V IC(cont) = -4A RCE(sat) = 33m VCE(sat)

 7.1. Size:351K  diodes
zxtp25020cff.pdf pdf_icon

ZXTP25012EZ

ZXTP25020CFF 20V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23F Description Mechanical Data Advanced process capability and packaging maximize the power Case SOT23F handling and performance of this small outline transistor. The reverse Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound. blocking capability of the transistor can often result in the elimination UL Flammability

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