2N5455 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5455

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 450 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO18

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2N5455 datasheet

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2N5455

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5457/D JFETs General Purpose 2N5457 N Channel Depletion 1 DRAIN *Motorola Preferred Device 3 GATE 2 SOURCE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 3 Drain Source Voltage VDS 25 Vdc Drain Gate Voltage VDG 25 Vdc CASE 29 04, STYLE 5 Reverse Gate Source Voltage VGSR 25 Vdc TO 92 (TO 226AA)

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2N5457 MMBF5457 2N5458 MMBF5458 2N5459 MMBF5459 G S TO-92 G S SOT-23 NOTE Source & Drain D D are interchangeable Mark 6D / 61S / 6L N-Channel General Purpose Amplifier This device is a low level audio amplifier and switching transistors, and can be used for analog switching applications. Sourced from Process 55. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted S

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

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