2N5455. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5455

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N5455

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5455 даташит

 9.1. Size:110K  motorola
 2n5457re.pdf pdf_icon

2N5455

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5457/D JFETs General Purpose 2N5457 N Channel Depletion 1 DRAIN *Motorola Preferred Device 3 GATE 2 SOURCE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 3 Drain Source Voltage VDS 25 Vdc Drain Gate Voltage VDG 25 Vdc CASE 29 04, STYLE 5 Reverse Gate Source Voltage VGSR 25 Vdc TO 92 (TO 226AA)

 9.2. Size:129K  fairchild semi
 2n5457 2n5458 2n5459 mmbf5457 mmbf5458 mmbf5459.pdf pdf_icon

2N5455

2N5457 MMBF5457 2N5458 MMBF5458 2N5459 MMBF5459 G S TO-92 G S SOT-23 NOTE Source & Drain D D are interchangeable Mark 6D / 61S / 6L N-Channel General Purpose Amplifier This device is a low level audio amplifier and switching transistors, and can be used for analog switching applications. Sourced from Process 55. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted S

 9.3. Size:59K  central
 2n5457 2n5458 2n5459.pdf pdf_icon

2N5455

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.4. Size:138K  onsemi
 2n5457 2n5458.pdf pdf_icon

2N5455

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N544-33, 2N5447, 2N5448, 2N5449, 2N544A, 2N545, 2N5450, 2N5451, 2N5401, 2N5456, 2N546, 2N5466, 2N5467, 2N5468, 2N5469, 2N547, 2N5470