Справочник транзисторов. 2N5455

 

Биполярный транзистор 2N5455 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N5455
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N5455

 

 

2N5455 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:110K  motorola
2n5457re.pdf

2N5455
2N5455

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5457/DJFETs General Purpose2N5457NChannel Depletion1 DRAIN*Motorola Preferred Device3GATE2 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit123DrainSource Voltage VDS 25 VdcDrainGate Voltage VDG 25 VdcCASE 2904, STYLE 5Reverse GateSource Voltage VGSR 25 VdcTO92 (TO226AA)

 9.2. Size:129K  fairchild semi
2n5457 2n5458 2n5459 mmbf5457 mmbf5458 mmbf5459.pdf

2N5455
2N5455

2N5457 MMBF54572N5458 MMBF54582N5459 MMBF5459GSTO-92GSSOT-23NOTE: Source & DrainDD are interchangeableMark: 6D / 61S / 6LN-Channel General Purpose AmplifierThis device is a low level audio amplifier and switching transistors,and can be used for analog switching applications. Sourced fromProcess 55.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedS

 9.3. Size:59K  central
2n5457 2n5458 2n5459.pdf

2N5455

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:138K  onsemi
2n5457 2n5458.pdf

2N5455
2N5455

2N5457, 2N5458JFETs - General PurposeN-Channel - DepletionN-Channel Junction Field Effect Transistors, depletion mode(Type A) designed for audio and switching applications.http://onsemi.comFeatures1 DRAIN N-Channel for Higher Gain Drain and Source Interchangeable High AC Input Impedance3 High DC Input Resistance GATE Low Transfer and Input Capacitance

 9.5. Size:65K  intersil
2n5452 2n5453 2n5454.pdf

2N5455
2N5455

 9.6. Size:143K  microelectronics
2n5447-49 2n5450.pdf

2N5455
2N5455

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top