ZXTD09N50DE6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZXTD09N50DE6
Código: D619
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.1 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 215 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: SOT26
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ZXTD09N50DE6 Datasheet (PDF)
zxtd09n50de6.pdf

A Product Line of Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6 50V DUAL NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR IN SOT26 Features Mechanical Data BVCEO > 50V Case: SOT26 IC = 1A High Continuous Current Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound; High Gain UL Flammability Classification Rating 94V-0 RSAT = 160m for Low Equivalent On Resistance
zxtd09n50de6 d619sot23-6.pdf

ZXTD09N50DE6E6SuperSOTDUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTORSUMMARYVCEO=50V; RSAT = 160m ; IC= 1ADESCRIPTIONA dual NPN low saturation transistor combination contained in a single 6 leadSOT23 package. Each transistor is the equivalent to the ZUMT619 device.FEATURESSOT23-6 Low Equivalent On Resistance Low Saturation Voltage IC=1A Continuous Col
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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