ZXTD09N50DE6 Todos los transistores

 

ZXTD09N50DE6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXTD09N50DE6
   Código: D619
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.1 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 215 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

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ZXTD09N50DE6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  diodes
zxtd09n50de6.pdf pdf_icon

ZXTD09N50DE6

A Product Line of Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6 50V DUAL NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR IN SOT26 Features Mechanical Data BVCEO > 50V Case: SOT26 IC = 1A High Continuous Current Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound; High Gain UL Flammability Classification Rating 94V-0 RSAT = 160m for Low Equivalent On Resistance

 ..2. Size:159K  diodes
zxtd09n50de6 d619sot23-6.pdf pdf_icon

ZXTD09N50DE6

ZXTD09N50DE6E6SuperSOTDUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTORSUMMARYVCEO=50V; RSAT = 160m ; IC= 1ADESCRIPTIONA dual NPN low saturation transistor combination contained in a single 6 leadSOT23 package. Each transistor is the equivalent to the ZUMT619 device.FEATURESSOT23-6 Low Equivalent On Resistance Low Saturation Voltage IC=1A Continuous Col

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History: D32W7 | LMUN5113T1G | MMT4261 | 2SC939 | FZT589 | BCY99B | GT402V

 

 
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