ZXTD09N50DE6. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ZXTD09N50DE6
Маркировка: D619
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 215 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300
Корпус транзистора: SOT26
Аналоги (замена) для ZXTD09N50DE6
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ZXTD09N50DE6 даташит
zxtd09n50de6.pdf
A Product Line of Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6 50V DUAL NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR IN SOT26 Features Mechanical Data BVCEO > 50V Case SOT26 IC = 1A High Continuous Current Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound; High Gain UL Flammability Classification Rating 94V-0 RSAT = 160m for Low Equivalent On Resistance
zxtd09n50de6 d619sot23-6.pdf
ZXTD09N50DE6 E6 SuperSOT DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR SUMMARY VCEO=50V; RSAT = 160m ; IC= 1A DESCRIPTION A dual NPN low saturation transistor combination contained in a single 6 lead SOT23 package. Each transistor is the equivalent to the ZUMT619 device. FEATURES SOT23-6 Low Equivalent On Resistance Low Saturation Voltage IC=1A Continuous Col
Другие транзисторы: ZXT13P40DE6, ZXT690BK, ZXT790AK, ZXT849K, ZXTC2045E6, ZXTC2063E6, ZXTC4591AMC, ZXTC6719MC, D209L, ZXTD2090E6, ZXTD619MC, ZXTD720MC, ZXTN07045EFF, ZXTN2007G, ZXTN2007Z, ZXTN2031F, ZXTN2040F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent


