ZUMT591 Todos los transistores

 

ZUMT591 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZUMT591
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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ZUMT591 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  diodes
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ZUMT591

SOT323 PNP SILICON PLANARZUMT591HIGH PERFORMANCE TRANSISTORDRAFT SPECIFICATION ISSUE A OCTOBER 94FEATURES* Extremely low saturation voltage* 500mW power dissipationE* 1 Amp continuous collector current (IC)CV*-5V* APPLICATIONS* Ideally suited for space / weight critical applicationsB10V*SOT323HzABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollect

 9.1. Size:29K  diodes
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ZUMT591

SOT323 NPN SILICON PLANARZUMT5179HIGH FREQUENCY TRANSISTORISSUE 1- NOVEMBER 1998FEATURES* High fT=900MHz Min* Max capacitance=1pF* Low noise 4.5dBPARTMARKING DETAIL - T6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO 20 VCollector-Emitter Voltage VCEO 12 VEmitter-Base Voltage VEBO 2.5 VContinuous Collector Current IC 50 mAPower Dissi

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History: MJE13003BR | ZXTD720MC

 

 
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