2N1162 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1162
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 106 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
Otros transistores... 2N1156 , 2N1157 , 2N1157A , 2N1158 , 2N1158A , 2N1159 , 2N116 , 2N1160 , 2SC1740 , 2N1162A , 2N1163 , 2N1163A , 2N1164 , 2N1164A , 2N1165 , 2N1165A , 2N1166 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050