2N1162. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1162

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 106 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N1162

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1162 даташит

 9.1. Size:289K  rca
2n1169.pdfpdf_icon

2N1162

Другие транзисторы: 2N1156, 2N1157, 2N1157A, 2N1158, 2N1158A, 2N1159, 2N116, 2N1160, TIP120, 2N1162A, 2N1163, 2N1163A, 2N1164, 2N1164A, 2N1165, 2N1165A, 2N1166