2N5575 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5575
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 80 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2000 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de 2N5575
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2N5575 datasheet
2n5575.pdf
2N5575 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 70V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 80A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a
Otros transistores... 2N5552 , 2N5552-1 , 2N5552-2 , 2N5552-4 , 2N5559 , 2N556 , 2N5560 , 2N557 , BC556 , 2N5576 , 2N5577 , 2N5578 , 2N5579 , 2N558 , 2N5580 , 2N5581 , 2N5582 .
History: 2N1565 | BDT31C
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c